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14.04.2025 11:21:25

Infineon präsentiert erste Galliumnitrid (GaN)-Transistor-Produktfamilie mit integrierter Schottky-Diode für industrielle Anwendungen

München, 14. April 2025 – Die Infineon Technologies AG hat die weltweit ersten Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren mit integrierter Schottky-Diode für industrielle Anwendungen vorgestellt. Die Produktfamilie der Mittelspannungs-CoolGaN™-Transistoren G5 mit integrierter Schottky-Diode steigert die Leistung von Stromversorgungssystemen, indem sie unerwünschte Totzeitverluste (deadtime losses) reduziert und so die Effizienz des Gesamtsystems weiter erhöht. Darüber hinaus vereinfacht die integrierte Lösung das Design der Leistungsstufe und reduziert die Stücklistenkosten.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG

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