Infineon: Qimonda stellt DRAM-Roadmap bis zur 30nm-Generation vor

Den Angaben zufolge kombiniert die innovative Buried Wordline DRAM-Technologie von Qimonda hohe Leistungsfähigkeit, niedrigen Stromverbrauch und kleine Chip-Größen. Sie werde damit die weitere Entwicklung des diversifizierten Produktportfolios des Unternehmens vorantreiben. Qimonda führe diese Schlüsseltechnologie jetzt für Strukturbreiten von 65nm ein. Der Produktionsbeginn für 1-Gbit-DDR2-Speicherchips ist für die zweite Jahreshälfte des Kalenderjahres 2008 geplant hieß es.

Qimonda plant den Start der Massenfertigung seiner 46nm Buried Wordline-Technologie für die zweite Jahreshälfte 2009. Diese Strukturbreite ermöglicht mehr als doppelt so viele Bits pro Wafer im Vergleich zur 58nm Trench-Technologie. Für die Umstellung von der aktuellen Trench-Technologie auf die Buried Wordline-Technologie erwartet Qimonda einen zusätzlichen, einmaligen Investitionsaufwand von ca. 100 Mio. Euro in den Geschäftsjahren 2009 und 2010, der voraussichtlich über den Cash-Flow finanziert wird. Dieser relativ geringe zusätzliche Investitionsaufwand resultiert aus der Kombination von Qimonda's Buried Wordline und vereinfachten Fertigungsprozessen mit einem marktüblichen Stack-Kondensator.

Die Aktie von Infineon Technologies schloss gestern im Xetra-Handel bei 5,35 Euro (+0,75 Prozent), die von Qimonda in Frankfurt bei 3,20 Euro (-2,74 Prozent). (26.02.2008/ac/n/d)